Físicos de Alemania consiguen memorias que resisten los apagones de luz

Pronto podrían ser realidad los ordenadores que no olvidan cuando se va la luz de forma repentina. Los físicos del Instituto Max Planck de Física de Microestructuras, en Halle (Alemania), han fabricado memorias de alta capacidad que guardan la información incluso en esas circunstancias, en las que ahora toda la información almacenada en la memoria operativa del ordenador se evapora. El reto consiste en reducir el tamaño de las RAM ferroeléctricas aumentando su capacidad de almacenar información y haciéndolas compatibles con los minúsculos sistemas de la electrónica moderna.

En los ordenadores actuales la información se almacena y procesa en circuitos eléctricos -en memorias de acceso aleatorio o memoria RAM- hasta que es transmitida a una memoria magnética permanente. Esta información se encuentra en forma binaria: secuencias de unos y ceros, que se corresponden con conmutadores electrónicos que pasan de uno a otro estado. Los circuitos necesitan electricidad para mantener las configuraciones de todos los conmutadores.En una RAM no volátil los conmutadores serían cambiados eléctricamente, pero retendrían sus configuraciones incluso aunque se fuera la luz. Los ingenieros informáticos creen que se pueden construir a partir de los materiales ferroeléctricos. Son sustancias que se pueden polarizar eléctricamente: una separación asimétrica entre carga positiva y negativa dentro del material crea un campo eléctrico. Esto hace posible que un material ferroeléctrico actúe como los dominios magnéticos que codifican la información binaria en las memorias magnéticas: un 1 corresponde a una dirección de polarización, y un 0 a la otra. Se puede cambiar la orientación aplicando un impulso de tensión al material ferroeléctrico, pero, una vez cambiada, permanece en esa posición hasta que se aplique otro impulso.

Los físicos llevan muchos años trabajando para desarrollar RAM ferroeléctricas no volátiles. Generalmente consisten en una fina película de material ferroeléctrico, cortado en miles de minúsculos cuadrados que sirven cada uno como elemento de memoria, y almacenan una unidad de información. Actualmente el principio de las RAM ferroeléctricas está bien establecido pero el reto consiste en hacerlas suficientemente pequeñas como para almacenar grandes cantidades de información y al mismo tiempo compatibles con los minúsculos sistemas electrónicos modernos.Ahora M. Alexe y sus colegas del Instituto Max Planck de Halle han fabricado la memoria ferroeléctrica más pequeña que existe, y en la publicación Applied Physics Letters (del 20 de septiembre) informan que las minúsculas celdas de memoria se pueden activar electrónicamente de forma individual. Diez mil celdas yuxtapuestas medían sólo un milímetro. Los investigadores demostraron que podían leer datos dentro y fuera de celdas individuales de memoria en una amplia serie. Las celdas eran lo suficientemente compactas como para proporcionar una capacidad de memoria de un millón de bits de datos con un único elemento del tamaño de un chip, suficiente para un moderno ordenador personal.

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