Técnica para fabricar transistores de alta velocidad

Un estudio básico sobre el fenómeno de la autodifusión en materiales semiconductores tendrá aplicación en el diseño de transistores de alta velocidad y dispositivos de infrarrojos. El trabajo, que tiene una importante aportación del Instituto de Microelectrónica de Madrid (CSIC), ha sido dirigido por E. Haller, del Lawrence Berkeley National Laboratory y la Universidad de California, y se publica en la revista Nature (2 de noviembre). Entre los firmantes están Fernando Briones y Juan Pedro Silveira, del citado instituto, donde se ha desarrollado la tecnología necesaria para la fabricación de estructuras semiconductoras producidas a partir de isótopos puros que ha permitido llevar a cabo el estudio.Los investigadores han descubierto una notable disparidad (de más de tres órdenes de magnitud) entre los coeficientes de autodifusión del galio y del antimonio (el del antimonio es menor) en el semiconductor formado por ambos elementos, lo que tiene relevancia para la física del estado sólido, y avanzan una hipótesis sobre su causa. Los estudios de autodifusión permiten comprender mejor cómo se difunden las impurezas y son vitales para desarrollar dispositivos electrónicos avanzados