Datos al final del túnel

Utilizar campos eléctricos para manipular el espín de los electrones (una de sus propiedades) permite almacenar datos de forma permanente, han demostrado científicos de varias instituciones europeas. Esta técnica basada en fenómenos cuánticos podría mejorar las memorias RAM de los ordenadores actuales y también revolucionar la nueva generación de dispositivos electrónicos, explica el Centro Helmholtz de Berlín, donde trabaja el español Sergio Valencia , uno de los investigadores.

Este nuevo tipo de memoria explota el fenómeno de la magnetorresistencia túnel (TMR). Entre dos delgadas capas de material magnético separadas por un aislante de sólo un nanómetro de espesor se tranfieren electrones, como si pasaran por un túnel. Si la mayor parte de los espines de los electrones están orientados igual en ambas capas magnéticas, estas partículas pasan mucho más fácilmente que si lo están de forma opuesta. Este dispositivo se utiliza para fabricar una memoria que se puede reescribir muy rápidamente pero que también puede almacenar los datos de forma permanente.

Hasta ahora este tipo de memoria, llamada MRAM, necesitaba campos magnéticos relativamente grandes, que se traducían en mucha energía. Ahora Vincent García y Manuel Bibes, del Centro Nacional de Investigaciones Científicas (CNRS) de Francia, y sus compañeros muestran en la revista Science que esto se puede mejorar. Utilizan como aislante el titanato de bario y se valen de un campo eléctrico para cambiar su estado, lo que influye en el espín predominante en los electrones de las capas magnéticas a ambos lados. Dado que el aislante se mantiene en el mismo estado a pesar de que cese la corriente eléctrica, este modelo se podría utilizar para construir memorias de ordenadores personales que utilicen muy poca energía pero sean permanentes, señalan los investigadores.