Intel reducirá la pérdida de energía de los chips con un nuevo material
Intel, primer fabricante mundial de microprocesadores, ha modificado la combinación de materiales con los que se fabrican dos elementos fundamentales de los transistores, lo que podría rebasar los límites de resistencia de los procesadores y prolongar la llamada ley de Moore, que establece que cada 18 meses el número de transistores del chip se duplica, según la compañía norteamericana.
La pérdida de energía es uno de los principales problemas que provoca la miniaturización del microprocesador, que en los últimos 30 años ha ido reduciendo su tamaño, a la vez que aumentaba velocidad y ca...
Intel, primer fabricante mundial de microprocesadores, ha modificado la combinación de materiales con los que se fabrican dos elementos fundamentales de los transistores, lo que podría rebasar los límites de resistencia de los procesadores y prolongar la llamada ley de Moore, que establece que cada 18 meses el número de transistores del chip se duplica, según la compañía norteamericana.
La pérdida de energía es uno de los principales problemas que provoca la miniaturización del microprocesador, que en los últimos 30 años ha ido reduciendo su tamaño, a la vez que aumentaba velocidad y capacidad de procesamiento. Sin embargo, la miniaturización tiene sus propios límites físicos y los fabricantes de chips llevan años tratando de dar con la combinación perfecta de materiales que permita mantener esta vertiginosa progresión.
Intel, ha conseguido diseñar un chip en el que incorpora otro material (aún secreto) que pierde menos energía que el dióxido de silicio. "Esto nos permite mantener la progresión histórica. De otra manera, la progresión se frenaría o incluso llegaría a su fin", declaró en Japón Sunlin Chou, vicepresidente de Intel.
El primer chip de Intel, el 4004, del tamaño de una pizza y fabricado en 1971, tenía 2.300 transistores; el Pentium IV, como un sello, 55 millones de transistores. En las pruebas realizadas con este material (llamado high k dialectric), la pérdida de energía se reduce más que con el dióxido de silicio utilizado actulmente. Los nuevos chips aparecerían en 2007 con el proceso de fabricación de 45 nanómetros.